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近日在日本进入举办的ITF上,IMEC首席执行官带来了ASML的最新消息。他表示,ASML已经基本完成作为NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计。
该系统的NA=0.55,较当前ASML的NA=0.33的第一代EUV光刻机,光刻的精度将会更高。该系统将会十分高大,并有望在2022年商业化。
据了解,NXE:5000系列将面向3nm制程工艺节点,甚至更高精度。据悉,新一代EUV光刻机将采用双重曝光方案,从而实现3nm芯片生产。
不过,这将造成光刻机制造程序更加复杂,同时也将增加芯片的生产成本。但是,ASML的这一突破,对正在发力更高精度芯片的台积电、三星来说,绝对是一件益事。
此外,IMEC还展示了3nm、2nm、1.5nm,乃至1nm以下的逻辑器件小型化设计图,让人眼前一亮。
通过IMEC的介绍可知,如今ASML已经基本完成了1nm光刻机的设计,这表明1nm芯片离众人又进了一步。
据相关消息称,ASML计划在2023年年中时,推出下代EUV光刻机设备原型。值得注意的是,下代EUV光刻机的要价十分高昂,是当前款式的2-3倍,售价高达4.5亿美元(折合人民币30亿元)。
但即便如此,三星、台积电仍是抢着要。想要攻克3nm、2nm芯片,更先进的EUV光刻机必不可少,为赢得技术领先,二者自然不惜砸下巨资。
据Business Korea报道,ASML执行长Peter Wennink近日访问三星半导体厂,与三星共同商讨EUV光刻设备的供给与发展合作案。
据报道,三星希望能同ASML组成科技联盟,从而拿到更多的新一代光刻设备。目前,ASML大部分EUV光刻机都进入了台积电的口袋,台积电曾表示,其已经安装了全球将近5成的激活光刻机。
而在近日,台媒又传来消息称,台积电采购了35台EUV设备。并且在2021年年末,台积电采购总量将在50台以上。这给三星的发展带来了不小的压力,毕竟三星早有想要超越台积电的想法。
为了实现反超,三星自然需要更多的先进光刻机。而对ASML来说,新一代EVU设备需要不小的研发投入,与三星合作将获得资金上的支持,也不失为一件益事。
如今三星已经出手,而台积电自然也不会坐以待毙。为保住自身的领先优势,台积电将作出怎样的行动,十分令人期待。
对此,你怎么看呢?不妨留言告诉笔者。
文/BU 审核/子扬 校正/知秋
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