强强联手！中科院公布进局，中企也有了新动作，外媒：动真格了 -

据新京报报道，为了让我国芯片产业不再受制于人，中科院宣布入局，并且在激光光刻领域取得了重大进展，正在研发不需要外国光刻机的5nm芯片技术。同时，中企也有了新动作。中芯国际宣布，他们研发的14nm芯片已经达到国际标准，正在量产。而更为先进的N+1技术也开始了小规模的试产。中科院和中芯国际的强强联手让外界惊叹，我国芯片产业追上世界一流水平指日可待。与此同时，更有外媒评论此事，认为我国这回是动真格了，下定决心要打破欧美企业对高端芯片技术的垄断

中科院和中芯国际强强联手

在国外企业的围追堵截下，我国芯片产业遭遇了几十年未遇的困境。由于我国缺乏生产高端芯片的技术，7nm级的芯片极端依赖对外进口。当进口受阻时，上下游所有需要这种芯片的企业的生产经营都受到了影响。为了改变这一被动局面，中科院、中芯国际等芯片领域的研发能手全部加大了对相关技术的投入，下定决心打破封锁了，培养自己的高端芯片产业链。

中科院入局之后，率先拿出了成果。一篇由中科院的科学家发布的文章显示，他们在5nm芯片研究中，发现了一种无需使用荷兰ASML公司的光刻机，就能制造高端芯片的方法，并为这一办法开发了新的传感器等设备。在世界现有的芯片制造方法中，荷兰ASML的光刻机是最优秀的设备，可是由于美国禁令的存在，我国无法购买该公司出品的可用于制造5nm的光刻机。既然买不到就只能自己想办法了。

上述的激光光刻办法使用的就是我国自研自产的设备，并在实验室中取得了不错的成果。同时，中芯国际那里也传出了好消息，该公司是我国在芯片制造领域的领头羊。该公司的代表表示，他们已经攻克了14nm的制造工艺，并且在去年下半年已经进入量产阶段。现在量产已经差不多一年，经过数据统计，各方面的指标都符合国际芯片标准。这意味着，我国芯片制造再下一城，稳步朝更加困难的领域进发。

外界更为关心的中芯国际第二代芯片制造工艺N+1技术也有了新进展。据该公司负责人介绍，使用了该技术的芯片和14nm芯片相比，性能提升幅度达到了20%，同时制造时的功耗削减了足足57%。实际产出的芯片和国际通行的7nm芯片非常接近。但是它和最好的7nm芯片相比，性能上仍有欠缺，还需要继续努力，把性能提得更高才行。

芯片产业的未来仍不轻松

外媒评论此事时表示，中科院和中芯国际的强强联手正在朝外界传递一个清晰的信号，我国动真格的了。我国作为芯片消耗大国，却没有自己的芯片技术，导致处处受制于人，非常憋屈。对于我国有志向的企业来讲，绝不想经历第二次相同的事件，因此自力更生就成了唯一的选择，当下我国有能力的企业都已经行动起来了。

但我们需要承认一点，芯片产业的未来仍不轻松，因为技术突破需要时间。中科院关于5nm芯片的研究还处在实验室阶段，虽然有所突破，距离实际应用还有很长的距离。中芯国际也还没有真正突破7nm技术，而当下最先进的芯片已经来到了5nm时代。总而言之，我们需要认识到差距，并找到前进的方向。在各个企业劲往一处使的情况下，突破高端芯片制造技术的希望非常大。

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