不消EUV光刻机也能造7nm芯片，华为起色来了，特朗普猝不及防 -

众人皆知，只有高端的光刻机，也就是目前最为紧俏的EUV光刻机，才能够生产高端的芯片。而近期传来的一个消息打破了这种想法，即便是不用EUV光刻机也能造7nm芯片

近年来芯片已经成为了人们关注的焦点，那么伴随着跟芯片有关联的，也备受人们的瞩目。想要摆脱芯片“卡脖子”的局面，光刻机是一大阻碍，我们都清楚能够生产高端的光刻机被荷兰ASML所垄断，其中EUV光刻机是最为先进的光刻机，台积电、三星能够量产5nm芯片，可以说EUV光刻机起了不少的作用。

中芯国际早在之前也已经向ASML订购这台光刻机，不过到今天还未交付。目前中芯国际能够量产的芯片仅仅只能达到14nm，这与目前最为先进的5nm芯片还存在着一定的距离。现如今，我们越来越迫切的想看到国产芯片的崛起。

但是芯片一个指甲盖大小的小玩意，里面所包含的技术与设备，却是非常多的。要想突破并不是一件简单的事情，我国各个企业也在不断的寻求新的办法，想要突破目前的芯片处境。而中芯国际也是被人们给予厚望的一家企业。

就在近期，中芯方面传来了好消息，中芯国际向我们透露了，第二代FinFET工艺已经取得了重大的进展。根据《珠海特区报》所发布的报道表示，中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，功能已经一次测试通过。这也表明了中芯国际在芯片领域获得了重大的突破。

关于中芯国际的N+1工艺，在早前就已经有不少的消息传出，中芯国际的梁孟松，在去年的时候，谈及到这一块的时候，就表示，这个工艺在功率和稳定性方面与7nm非常的接近，值得注意的是，这个工艺并不需要用到EUV光刻机。

不过N+1工艺与现有的7nm芯片也还存在着优势，比如在性能上将比原来要提升20%，在功耗上降低了57%。同时还存在着劣势，那就是性能方面，不过即便如此，也已经表明了中芯国际的N+1要比原先的14nm工艺强上许多。

即便在性能上有所不足，但是中芯国际还有另外一个王牌，那就是N+2这将是在N+1的基础上，做一个升级。目前全球最为先进的芯片工艺就是5nm，不过在7nm芯片上，也并没有几家企业能够量产，即便是美企巨头英特尔，前段时间，也表明在7nm芯片制程上遇到了问题。

那么这也意味着，如果中芯国际的7nm能够得到量产，也就表明将成为全球第三家能够量产7nm芯片制程的企业。目前芯片是最备受关注，中芯国际的新进展，无疑对于国内的半导体行业来说，就是一个非常振奋人心的消息。

这也表明了。我们距离摆脱“卡脖子”又近了一步，即便不用EUV光刻机对于芯片制造来说，依旧也不会受到影响，华为的转机来了，7nm芯片能够得以量产，即便运用在高端的手机中还不能够达到，但是将会解决部分华为对芯片的需求。

距离9月15日，仅仅只过去了不长的时间里，就传来了中芯国际新的进展，特朗普可以说是猝不及防。芯片的局面在未来将会被改变。目前中芯国际的N+1工艺，已经成功通过流片，但是要实现量产，还需要大量的数据支持和反复的检验。不过这个基础在，那么之后的发展将会更加的顺利。

中芯国际能够有如此强大的进步，除了整个团队之外，还有梁孟松也在里面起到了重要的作用。当初梁孟松在进入中芯国际不久，14nm芯片工艺就得到了突破。因此有了这样优秀的科研人员，芯片想要更上一层楼，也只是时间的问题。芯片国产化，也将在不久的将来圆梦。

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